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IBM annoncent des transistors en 9 nm
mardi 31 janvier 2012, par
Les chercheurs d’IBM ont développé le plus petit transistor du monde à nanotube de carbone qui est seulement de 9 nanomètres (nm) de diamètre.
La limite physique présumée des transistors en silicium est à 10nm. On est bien placé pour savoir que la production actuelle de transistor de silicium est en 22 nm.
Le transistor à nanotube de carbone consomme apparemment moins d’énergie et est capable de transporter plus de courant que toute la technologie actuelle selon IBM.
Les résultats mettent en évidence la valeur des nanotubes de carbone dans le cas de transistors sophistiqués. Le succès de la réalisation de 9 nm à nanotubes pourrait changer l’évolution de l’électronique conventionnelle en brisant la limite des transistors en silicium de 10nm.
Il y a certaines complications cependant, tout d’abord on est encore au stade expérimental et la fabrication de grandes séries de nanotubes de carbone qui fonctionnent comme des semi-conducteurs est extrêmement difficile à envisager à ce jour. Sans entrer dans des détails trop techniques, il reste à trouver de meilleures façons de placer un grand nombre de nanotubes sur une surface avec un alignement parfait.
Bien que les nanotubes de carbone (CNT) aient été annoncés pendant des années comme le remplaçant de la technologie du silicium, il est limité aujourd’hui encore à travaux théoriques et expérimentaux.
